RClamp3374N新的3.3V TVS RClamp3374N
以太网上的雷击防护芯片RClamp2574N
描述:TVS DIODE 2.5VWM 20VC 10SLP
双向通道:8
RClamp2574N
电压-反向关态(典型值):2.5V(最小值)
电压-击穿(最小值):2.7V
电压-箝位(最大值)@ Ipp:20V
电流-峰值脉冲(10/1000μs):40A(8/20μs)
功率-峰值脉冲:1000W(1kW)
电源线路保护:是
应用:通用
不同频率时的电容:3.75pF @ 1MHz
工作温度:-55°C ~ 85°C(TA)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:10-UDFN裸露焊盘
供应商器件封装:SLP3020N10
技术参数
钳位电压:7.4 V
脉冲峰值功率:800 W
工作温度(Max):150 ℃
工作温度(Min):-55 ℃
封装参数:引脚数10
封装:DFN
产品分类 |
ESD抑制器/TVS二极管RCLAMP2574N.TCT TVS DIODE 2.5VWM 20VC 10SLP |
封装/外壳 |
SLP3020N10 |
极性(单双向) |
单向 |
击穿电压 V(BR)-min |
2.7V |
钳位电压 VC |
20V |
工作温度 |
-55~+85℃ |
安装类型 |
SMT |
功率-峰值脉冲 |
1kW |
是否无铅 |
Yes |
峰值脉冲电流(Ipp) |
40A |
通道数 |
8Channel |
零件状态 |
Active |
最大安装高度 |
0.60mm |
长x宽/尺寸 |
3.00 x 2.00 |
电压-断态 |
2.5V |
电源电压 |
2.5V |
存储温度 |
-55~+150℃ |
元件生命周期 |
Active |
结电容Cj |
5pF |
反向击穿电压Min |
2.7V |
DL3304P9可以被配置以保护高达8个高速线(四对线)应用,如机顶盒,服务器,笔记本,和台式电脑。这些应用通常不需要同一水平的闪电免疫网络和电信设备。
DL3304P9可以平替3374N瞬态电压抑制器,用于ESD保护,ESD抑制器/TVS二极管
VRWM=3.3V VBR(Min)=3.5V VC=25V IPP=40A SLP3020N10
特性
内部带有TVS二极管的浪涌额定二极管阵列
用于高速数据线的瞬态保护
IEC 61000-4-2 (ESD)±30 kV(空气),±30 kV(接触)
IEC 61000-4-4 (EFT) 40 A (5 / 50 ns)
IEC 61000-4-5(闪电)40 A(8/20μs)
资格AEC-Q100 1级(-45°C + 125°C)
保护多达8行
高速接口的低电容
低电容与偏置电压的变化
低电压钳位
低工作电压:3.3 V
固态硅雪崩技术
应用:
10 / 100 / 1000以太网
汽车电子
中央办公设备
LVDS接口
笔记本/台式机/服务器以太网上的雷击防护芯片DL3304P9